技術(shù)編號(hào)：92362
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到集成電路，特別是MOS電路的氧化領(lǐng)域。在金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)電路的制作過程中，“前部”工藝是用來在襯底的預(yù)定位置上形成厚場(chǎng)氧區(qū)。這些厚場(chǎng)氧區(qū)主要是用來絕緣的。例如防止導(dǎo)線橫跨這些區(qū)域時(shí)，產(chǎn)生寄生電導(dǎo)。形成這些場(chǎng)氧區(qū)的最常見工藝是利用氮化硅層。首先在氮化硅層上的預(yù)定位置形成窗口，然后由襯底生長氧化層。由于窗口以外區(qū)域有氮化硅保護(hù)，故氧化層只在窗口處生長。然而，氧化層生長過程中會(huì)將窗口邊緣的氮化層頂起，並在這些被頂起的區(qū)域內(nèi)，形成楔形的較薄的場(chǎng)氧。有時(shí)將這些出現(xiàn)在氮化硅與襯底交界處的楔形氧化區(qū)稱為...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。