技術(shù)編號：9210275
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。二氧化鈦(T12)作為一種寬禁帶半導體氧化物，由于其獨特的化學特性和能帶結(jié)構(gòu)，在光電轉(zhuǎn)換及能量存儲方面顯示出廣闊的應用前景。為了提高其性能，各種形貌包括OD納米顆粒、ID納米棒(線)、2D納米層及3D分級結(jié)構(gòu)已被成功制備。然而對于二氧化鈦性能的改善不僅僅需要材料具備較大的比表面積，而且也需要材料結(jié)構(gòu)的完整性及長程電子傳輸性。介孔單晶恰好可兼具兩者的優(yōu)勢。目前關(guān)于介孔單晶的制備方法主要集中到模板方法，即以密排的S12為模板，對模板進行晶種化處理，從而誘導鈦源...
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