技術(shù)編號(hào):9208328
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及極紫外(Extreme Ultrav1let,EUV)光刻光源收集鏡的刀架加工技術(shù)。技術(shù)背景以光刻寬度處于10nm以下的光刻技術(shù),稱(chēng)為極紫外光刻技術(shù)。其中,實(shí)現(xiàn)22nm?45nm的刻線,已經(jīng)作為了我國(guó)極紫外光刻光源到2020年的發(fā)展目標(biāo)。目前國(guó)際上實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)主要有激光等離子體(LPP)和放電等離子體(DPP)極紫外光刻光源兩種,此兩種方案通過(guò)Xe或Sn介質(zhì)產(chǎn)生高溫高密度等離子體實(shí)現(xiàn)13.5nm(2%帶寬)輻射光輸出。DPP光源主要由毛細(xì)管放電、...
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