技術(shù)編號(hào)：9204104
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。例如，專利文獻(xiàn)I 公開了一種利用 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems微機(jī)電系統(tǒng))的傳感器。專利文獻(xiàn)I中公開了由形成有隔膜的SOI基板、以及形成在SOI基板上的4個(gè)壓阻元件所構(gòu)成的半導(dǎo)體壓力傳感器。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本專利特開2006-30158號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容 發(fā)明所要解決的技術(shù)問題為了提高靈敏度，將壓阻式傳感器的壓阻元件形成在構(gòu)成膜片、梁等位移部的Si的表面附近的極淺的位置上。Si的表面有時(shí)還形成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。