技術(shù)編號(hào):9201763
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。大功率芯片,尤其熱流密度達(dá)到350W/cm2以上的芯片,以及hotspot (熱點(diǎn))達(dá)到10KW/cm2以上的芯片,對(duì)于 eWLB (embedded wafer level ball grid array,埋入晶圓級(jí)球柵陣列)封裝,如果不采用有效的散熱措施,芯片產(chǎn)生的熱量很難從封裝內(nèi)傳導(dǎo)出去。目前,針對(duì)大功率芯片eWLB封裝的散熱,通常將大功率芯片裸露在封裝外表面,這種封裝的缺點(diǎn)是芯片得不到有效保護(hù)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,為eW...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。