技術(shù)編號(hào)：91804
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光敏器件的制造方法。 在本發(fā)明作出以前，用高電阻率N型硅單晶(例如，用電阻率為100歐姆·厘米左右的N型硅單晶)制造光敏三極管的平面工藝主要流程是第一步，氧化;第二步，光刻出待擴(kuò)硼的區(qū)域;第三步，擴(kuò)硼及氧化;第四步，光刻出待擴(kuò)磷的區(qū)域;第五步，背面磨片;第六步，擴(kuò)磷及氧化;第七步，光刻出電極引出窗口;第八步，正面蒸鋁;第九步，光刻出鋁電極;第十步，背面蒸金;第十一步，合金化(溫度范圍為480℃至550℃);第十二步，用銀漿燒結(jié)管芯到管座上(溫度為400℃);第十三步，超聲壓焊引線;第十四步，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。