技術(shù)編號(hào)：9107258
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)是利用注入的電子空穴在夾于η-型摻雜區(qū)和ρ_型摻雜區(qū)的多量子阱有源區(qū)進(jìn)行復(fù)合輻射發(fā)光的。電流注入效率越高，電子空穴復(fù)合輻射幾率越大，半導(dǎo)體發(fā)光二極管發(fā)光效率就越高。傳統(tǒng)的多量子講有源層為GaN量子皇與InGaN量子講結(jié)構(gòu)組成，量子皇作為隔咼層，其厚度要大于量子阱厚度，以更好地起到阻擋卡位的功能。然而由于GaN與InGaN材料晶格不匹配，導(dǎo)致極化效應(yīng)的產(chǎn)生，導(dǎo)致能帶傾斜；另一方面，由于量子限制斯塔克效應(yīng)的影響，應(yīng)力誘導(dǎo)極化場，激子躍...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。