技術(shù)編號：9068881
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。作為LC復(fù)合元器件，可利用下述結(jié)構(gòu)通過設(shè)置于多層基板的層間的電極圖案來構(gòu)成線圈和電容器，并連接這些線圈和電容器來構(gòu)成LC濾波器(參照專利文獻(xiàn)I。)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本專利特開平5-335866號公報(bào)實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在現(xiàn)有的LC復(fù)合元器件中，由于越是靠近線圈在多層基板內(nèi)部產(chǎn)生的磁場越強(qiáng)，因此，若電容器等電極圖案設(shè)置于線圈附近，則磁通會繞過電極圖案從而導(dǎo)致線圈的電感值下降。由此，為了在不對線圈結(jié)構(gòu)進(jìn)行較大改動的情況下將電感...
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該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。