技術(shù)編號：9015857
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在設(shè)計探測器PN結(jié)終端結(jié)構(gòu)域工藝時，有四種情況需要認真對待第一、S1Jl不可能是理想狀態(tài)的，特別在硅介質(zhì)附近，氧化層是由S1x組成的，X<2,也就是說介面Si存在不飽和鍵，有固定正電荷存在。就目前氧化工藝水平而言，正電荷層濃度大約111CnT2量級。因此在S1-S1 2介面層就有一層感應(yīng)負電荷。第二、PN結(jié)終端電場最強。隨著方向電壓的增加、耗盡，電力線集中點即P N結(jié)終端極易擊穿。第三、離子注入時在探測器有效區(qū)窗口的PN結(jié)邊緣，可能受氧化層的影響形成...
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