技術(shù)編號：8963098
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。如圖1所示，現(xiàn)有功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOS等)的內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)由底板、絕緣覆銅基板(DBC) 101、功率芯片102、鋁線、灌封膠等組成，其中功率芯片通過焊接的方式固定在絕緣覆銅基板的上表面。由于絕緣覆銅基板與焊點(diǎn)的熱膨脹系數(shù)不匹配，在功率半導(dǎo)體器件服役時(shí)，焊點(diǎn)與絕緣覆銅基板之間會(huì)產(chǎn)生較大熱應(yīng)力；隨著功率半導(dǎo)體器件服役過程的進(jìn)行，功率芯片與絕緣覆銅基板之間的焊點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生疲勞，即出現(xiàn)裂紋，裂紋的進(jìn)一步擴(kuò)展，會(huì)明顯阻礙功率芯片的散熱通路，最終造成功率芯片過...
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