技術(shù)編號(hào)：8926651
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在連續(xù)直拉（CZ)晶體生長(zhǎng)工藝中，隨著晶體生長(zhǎng)而補(bǔ)充或再充填熔體。這與批量 再充填形成對(duì)比，在該批量再充填中，在通過完成晶體生長(zhǎng)法而耗盡熔體之后才會(huì)再充填 熔體。在任一情況下，都能夠以固體進(jìn)料或熔融進(jìn)料來補(bǔ)充熔體。 與批量再充填相比，用于生長(zhǎng)硅晶錠的連續(xù)直拉法具有一些優(yōu)點(diǎn)。熔體高度保持 基本不變，因此能夠更一致地保持熔體-晶體界面處的生長(zhǎng)條件，以實(shí)現(xiàn)最佳的晶體生長(zhǎng)。 由于熔體條件不會(huì)由于增加了大量進(jìn)料而突然改變，所以周期時(shí)間還可以減少。 傳統(tǒng)的連續(xù)晶體生...
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