技術(shù)編號：8923860
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著集成電路上的裝置密度持續(xù)增大，裝置結(jié)構(gòu)之間的尺寸與距離持續(xù)減小。結(jié)構(gòu)間隙的較窄寬度和結(jié)構(gòu)之間溝槽的較窄寬度增大了所述構(gòu)造中的高度與寬度比率(亦即深寬比)。換句話說，集成電路元件的持續(xù)微型化正在使所述元件內(nèi)和所述元件之間的水平寬度比所述元件垂直高度更快地縮小。雖然制作具有日益增大深寬比的裝置結(jié)構(gòu)的能力已容許將更多結(jié)構(gòu)(例如晶體管、電容器、二極管，等等)包裝在半導(dǎo)體晶片基板的相同表面積上，但此舉亦產(chǎn)生制造問題。所述問題之一是在充填處理期間，難以在不產(chǎn)生空隙...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。