技術(shù)編號(hào):8923810
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著超大規(guī)模集成電路特征尺寸的微縮化持續(xù)發(fā)展,場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸也隨之越來越小,且操作的速度也越來越快。如何有效提高電子輸運(yùn)性能,改善電路元件的驅(qū)動(dòng)電流正顯得日益重要。通過提高溝道區(qū)的載流子迀移率,能夠增大CMOS器件的驅(qū)動(dòng)電流,提高器件的性能。而提尚載流子遷移率的一種有效機(jī)制是在溝道區(qū)中廣生應(yīng)力?!愣?,硅中電子的迀移率隨著沿電子迀移方向的拉應(yīng)力的增加而增加,并隨著壓應(yīng)力的增加而減少;相反,硅中帶正電的空穴的迀移率隨著空穴移動(dòng)方向的壓應(yīng)力的增加而增大,...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。