技術(shù)編號(hào)：8923802
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著集成電路制造技術(shù)的快速發(fā)展，促使集成電路中的半導(dǎo)體器件，尤其是MOS(Metal Oxide Semiconductor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管的尺寸不斷地縮小，以此滿足集成電路發(fā)展的小型化和集成化的要求。請(qǐng)參考圖1，圖1是一種晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括位于襯底100表面的柵極結(jié)構(gòu)101,所述柵極結(jié)構(gòu)101包括位于襯底100表面的柵介質(zhì)層110、位于柵介質(zhì)層110表面的柵極層111、以及位于柵介質(zhì)層110和柵極層111側(cè)壁表面的側(cè)墻112 ;位...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。