技術(shù)編號(hào)：8923797
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 多晶娃蝕刻過(guò)程中，主蝕刻步驟（Mai址tching)通常采用EPD(蝕刻終點(diǎn)偵測(cè)）方 式再加上一定量的過(guò)蝕刻確保娃蝕刻干凈，而主蝕刻步驟的蝕刻特性也固定了半導(dǎo)體器件 下層的氧化物層（under-layeiOxide或0N0)的厚度。 現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造（FAB)的蝕刻工序中，雖然有調(diào)節(jié)終點(diǎn)偵測(cè)方式對(duì)于所述氧化 物層進(jìn)行蝕刻范圍調(diào)節(jié)的功能，但可調(diào)節(jié)范圍太小只有±1()A(即"埃"，10的負(fù)10次方米)， 非常有限；而如果通過(guò)修改主蝕刻步驟來(lái)調(diào)節(jié)所述氧化物層的...
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