技術編號：8915486
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 目前制備多鐵性有多種金屬有機化學氣相沉積法、磁控濺射法、分子 束外延法、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法等。然而，純的BiFeO 3多鐵性薄膜由于制備過程中 原子價態(tài)的轉變導致薄膜的致密性能較差進而在室溫條件漏電流較大，得到的電滯回線矩 形度較差，不能滿足器件應用的要求。摻雜是降低BiFeO 3多鐵性薄膜漏電流的有效方法， 例如公布號為CN 103613372A的專利，通過摻雜Tb、Mn、Cu元素來降低BiFeO3的漏電流密 度，在300kV/cm時的漏電流為...
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