技術(shù)編號(hào)：8913431
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。碲鎘汞(HgCdTe，MCT)做為一種優(yōu)良的三元系紅外探測(cè)器材料，具有可調(diào)節(jié)的禁帶寬度、寬光譜覆蓋范圍、較大的光學(xué)吸收系數(shù)、較高的電子和空穴迀移率等優(yōu)點(diǎn)，成為制備紅外探測(cè)器的優(yōu)選紅外材料。在碲鎘汞探測(cè)器芯片的制備過程中經(jīng)常需要制備不同形狀的溝槽來進(jìn)行光敏元的隔離或改變芯片中的應(yīng)力分布。常規(guī)制備溝槽的方法有兩種，分別為濕法腐蝕和干法刻蝕。濕法腐蝕需要先制備出各種形狀的光刻膠掩膜，再利用含溴的腐蝕液進(jìn)行腐蝕。濕法腐蝕對(duì)材料的損傷小，但可控性差、腐蝕時(shí)間過長會(huì)造...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。