技術編號：8909277
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。已經開發(fā)了這樣的技術通過蝕刻，除去形成在碳化硅(SiC)半導體基板的表面上的絕緣層的一部分，以形成開口，并使與SiC半導體基板形成歐姆接觸的金屬電極形成在此開口內。在公開號為2011-176183 (JP 2011-176183 A)的日本專利申請中公開的半導體裝置的制造方法中，氧化硅膜(3102膜)首先形成在SiC半導體基板的表面上。接著在該氧化硅膜表面上形成抗蝕層。隨后，通過使所述抗蝕層圖案化，形成開口。接下來對通過該抗蝕層開口而暴露在外的區(qū)域中的氧化...
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