技術(shù)編號(hào)：8907366
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在集成電路系統(tǒng)中，往往有很多用于特定操作的電路需要使用高于電源電壓的直 流電壓。比如在閃速存儲(chǔ)器中，必須產(chǎn)生一個(gè)較高的電壓來用于數(shù)據(jù)編程和擦除。閃速存 儲(chǔ)器包含有若干存儲(chǔ)單元陣列，通常，每個(gè)存儲(chǔ)單元為一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET)，所述場(chǎng)效 應(yīng)晶體管包括一個(gè)位于隧道氧化層表面的浮置柵，浮置柵可積累電荷，所述電荷對(duì)應(yīng)一位 數(shù)據(jù)信息。存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的編程和擦除是通過控制浮置柵中電荷的注入和釋放來進(jìn)行的。存 儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的編程需要通過熱電子注入的方式將溝道中的電荷通過隧道...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。