技術(shù)編號(hào)：89006
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路和半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的工藝設(shè)備。自從六十年代初開始采用離子注入作為新的半導(dǎo)體摻雜工藝以來(lái)，為了消除注入引起的半導(dǎo)體晶體操作和電激活注入離子，一直采用常規(guī)長(zhǎng)時(shí)間熱退火，退火時(shí)間一般為30分以上(北京市輻射中心，北京師范大學(xué)低能核物理研究所離子注入研究室編著的“離子注入原理與技術(shù)”，1982年由北京出版社出版)。但隨著超大規(guī)模集成電路迅速發(fā)展，不僅要求PN結(jié)結(jié)深越來(lái)越淺(至今已達(dá)0.2微米)，而且要求在淺結(jié)條件下薄層電阻盡可能小，也即要求在高劑量(超過(guò)固溶度值)注入條件下能有更高的電激活率。常規(guī)長(zhǎng)時(shí)間...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。