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技術(shù)編號：8898300

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GaN作為第三代半導體材料代表材料之一，由于其具有寬帶隙、高耐壓、高熱導等特點，在UV探測器、白光和彩光LEDs、LDs和高頻高功率器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值，吸引了廣泛的關(guān)注。為了實現(xiàn)器件性能的提高和穩(wěn)定性的增強，使用低位錯密度的GaN單晶襯底是最有效的途徑。GaN的理論熔點是2500°C，N相應(yīng)的分解壓力估計為45000atm，這意味著傳統(tǒng)的Si單晶生長方法(提拉法)不適用于GaN單晶生長。由于缺少GaN同質(zhì)襯底，目前生長GaN體單晶一般采用異質(zhì)外延的...
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