技術(shù)編號：8848685
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。完全耗盡(FD)絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)場效應(yīng)晶體管(FET)器件具有若干優(yōu)點，例如，降低功耗和減小漏電等。由于能夠消除翹曲(Kink)效應(yīng)，所以FD SOI器件可以很好地抑制短溝道效應(yīng)并實現(xiàn)接近理想的亞閾值斜率。但是，F(xiàn)D SOI器件需要非常薄的SOI層，例如約10_20nm，以使其能夠完全耗盡。這導(dǎo)致在工藝中對SOI層厚度控制的困難且對于Si損耗過于敏感。此外，薄的SOI層增加了外部電阻，且因此降低了器件性能。實用新型內(nèi)容本公開的目的至少部分地在于提供...
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