技術(shù)編號(hào)：8829775
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在醫(yī)療X光射線系統(tǒng)中，整機(jī)的干擾、地線的擾動(dòng)、系統(tǒng)的電位差等一系列問題，對(duì)驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET管可靠性有了更加嚴(yán)格的要求，高壓MOSFET管關(guān)斷的不徹底導(dǎo)致器件損壞事件屢屢發(fā)生。發(fā)明內(nèi)容發(fā)明目的本方案采用磁耦合驅(qū)動(dòng)，為在復(fù)雜的醫(yī)療X光射線系統(tǒng)環(huán)境下驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET管提供了一種新的思路。本發(fā)明所采用的的技術(shù)方案本電路由Ul光耦芯片、推挽電路、隔離變壓器、保護(hù)電路、高壓MOSFET管組成，其特征在于驅(qū)動(dòng)脈沖通過(guò)Ul光耦芯片隔離驅(qū)動(dòng)Ql和Q2組成的推挽電路產(chǎn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。