技術(shù)編號：8820593
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。以SiC及GaN為代表的寬禁帶材料，是繼Si和GaAs之后的第三代半導(dǎo)體。與Si及GaAs相比，SiC具有寬禁帶(2.2?3.3eV, Si的2?3倍)、高熱導(dǎo)率(Si的3?3.3倍)、高擊穿場強(qiáng)(4X106V/cm, Si的10倍)、高飽和電子漂移速率(2.5X 107cm/s，Si的2.5倍)、化學(xué)穩(wěn)定，高硬度抗磨損，以及高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。所以SiC特別適合于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件。SiC器件可用于人造衛(wèi)星、火箭、雷達(dá)與通訊、空...
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