技術(shù)編號(hào)：87459
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及這樣一種技術(shù)，其考慮從電源電路提供的功率的功率效率(efficiency)，通過(guò)向被提供功率的電路提供適當(dāng)?shù)碾妷簛?lái)減少整個(gè)半導(dǎo)體集成電路設(shè)備的功耗。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路中，由于提供多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(下文中縮寫為“MOSFET”)，所以通過(guò)減少溝道的長(zhǎng)度和減小柵氧化膜(gate oxide film)的厚度，能夠獲得高集成度或提高操作速度。然而，因?yàn)殚撝禃?huì)降低并且在功耗量中漏電流的比例會(huì)增加，因此需要對(duì)所述問(wèn)題采取措施。 通過(guò)根據(jù)處理器的輸出動(dòng)態(tài)并可變地控制從電源電路提供的電壓值，或...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。