技術(shù)編號：87456
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體而言，涉及一種晶體管的制造方法，該晶體管可克服短溝道效應(yīng)(SCE)。 背景技術(shù)通常，當(dāng)形成半導(dǎo)體器件的晶體管時，硅襯底之上的柵極結(jié)構(gòu)增高。為此，當(dāng)器件尺寸按比例減小時，在限定柵極長度方面將會產(chǎn)生一些問題。此外，當(dāng)形成輕摻雜漏極離子注入和源極/漏極離子注入時，分別需要進(jìn)行掩模步驟。從而，增大了器件的制造成本。 因此，需要發(fā)展一種可形成具有新的柵極結(jié)構(gòu)的晶體管器件的技術(shù)。 發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明旨在提供一種，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷而引起的一個或多個問題。 本發(fā)明...
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