技術(shù)編號(hào)：85806
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種對(duì)于用于制造半導(dǎo)體元件的裝置的清潔方法，且具體來說，涉及一種對(duì)于用于沉積薄膜的裝置反應(yīng)室的干燥清潔方法。 背景技術(shù)通常經(jīng)過多個(gè)單元操作來制造半導(dǎo)體元件，例如離子植入法、薄膜沉積法、擴(kuò)散法、攝影法和蝕刻法。上述方法中的薄膜沉積法需要改良半導(dǎo)體元件制造方法的重復(fù)性和可靠性。 通過使用濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法或原子層沉積法來在半導(dǎo)體基板上形成半導(dǎo)體元件薄膜。對(duì)于進(jìn)行上述方法用于沉積薄膜的裝置通常包括一反應(yīng)室、一用于向反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)各種氣體的氣體管線和一用于固持半導(dǎo)體基板的基板固持器單元。 在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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