技術(shù)編號：8545172
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著CMOS集成電路制造工藝的發(fā)展以及關(guān)鍵尺寸的縮小，很多新的材料和工藝被運(yùn)用到器件制造工藝中，用以改善器件性能。多孔low k材料可以實(shí)現(xiàn)2.5左右的介電常數(shù)(空氣的介電常數(shù)為1，所以多孔材料能夠獲取很低的k值)，能夠有效降低集成電路的RC延遲。目前的多孔low k材料(主要是BD2Black Diamond 2)的形成分了兩個(gè)步驟薄膜沉積和紫外照射。薄膜沉積是在PECVD反應(yīng)腔里完成的，在這個(gè)過程中會通入有機(jī)致孔劑(ATRP)。沉積得到的初始薄膜并不是...
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