技術編號：8537299
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 自2004年英國曼徹斯特大學的安德烈?海姆和康斯坦丁 ?諾沃肖洛夫成功地從石 墨中分離出納米厚度的二維六方氮化硼至今，二維材料以其特有的性質(zhì)越來越受到人們重 視。現(xiàn)已制備出了納米片層的六方氮化硼h-BN、金屬硫化物等多種二維材料。其中，六方氮 化硼h-BN具有與二維六方氮化硼類似的層狀結(jié)構(gòu)，但與良導體二維六方氮化硼不同的是， 六方氮化硼是一種帶隙為5. 7eV的絕緣體。由于六方氮化硼具有原子級平整的表面、無懸 掛鍵、無電子摻雜，可用作二維六方氮化硼的高性...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。