技術(shù)編號(hào)：8529430
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 LED因具有色純度高、響應(yīng)速度快、體積小、可靠性好、壽命長(zhǎng)、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，無疑成 為最受重視的光源技術(shù)。一般采用藍(lán)寶石襯底的外延片來制備高亮GaN基LED，如何提高及 發(fā)光效率是一直以來的研宄重點(diǎn)。LED的發(fā)光效率主要有三方面因素器件的內(nèi)量子效率、載流子注入效率和光出 射效率。目前，對(duì)GaN基LED的器件而言，通過改善量子阱、異質(zhì)結(jié)構(gòu)載流子限制效應(yīng)以及 量子限制斯塔克效應(yīng)和提高空穴的注入和降低電子的泄漏已將內(nèi)量子效率、載流子注入效 率已達(dá)較高水平，而相對(duì)前...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。