技術編號：8529384
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于微納米阻變存儲器。技術背景隨著半導體工藝技術的不斷發(fā)展，市場對高密度、高速度、低功耗、低成本的非揮發(fā)存儲器的需求日益增大。目前主流的Flash非揮發(fā)存儲器由于自身結構的限制，在不斷縮小的特征尺寸下面臨嚴峻的挑戰(zhàn)，比如浮柵氧化層厚度無法隨器件尺寸的縮小而無限制的減薄等。因此，探索性能優(yōu)越的下一代非揮發(fā)存儲器成為存儲器領域研宄重中之重。新型存儲器MRAM (磁阻存儲器)、FeRAM (鐵電存儲器)、PRAM (相變存儲器)等目前正受到廣泛關注，然而這...
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