技術(shù)編號(hào):8519678
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一般而言,各種半導(dǎo)體工藝可以被用于對(duì)載體或晶片摻雜。用于對(duì)載體摻雜的一個(gè)方法可以是離子注入,其中,離子由于它們的高動(dòng)能而被注入到載體材料中。進(jìn)一步地,可以應(yīng)用掩模以保護(hù)特定區(qū)不受離子的注入,并且在其它區(qū)中允許離子注入,例如,以在載體材料中形成摻雜區(qū)域。制造電子器件或集成電路一般可以包括一個(gè)或多個(gè)離子注入工藝,例如,以在載體或該載體上方的層中生成期望的摻雜區(qū)域。一般而言,執(zhí)行離子注入可以要求保護(hù)層或載體的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域不被離子所滲透,并且因此可以使分別使用的...
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