技術(shù)編號：8516379
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。遠(yuǎn)紫外光，例如波長小于或等于約50nm的電磁輻射(有時也稱作軟X射線)并且包括波長約為13.5nm的光，可用于光刻過程，以在基材(例如硅晶片)中產(chǎn)生極小特征。用于產(chǎn)生EUV光的方法包括將靶材料從液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體態(tài)。靶材料優(yōu)選包括至少一種元素，例如氙、鋰或錫，在EUV范圍內(nèi)具有一條或多條發(fā)射譜線。在一個此類方法中，常稱為激光產(chǎn)生的等離子體(“LPP”)，可以通過采用激光束輻射具有所需譜線發(fā)射元素的靶材料來產(chǎn)生所需的等離子體。一種LPP技術(shù)涉及產(chǎn)生靶材料滴的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。