技術(shù)編號：8513742
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著各種電子產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展及功能需求的提高，使得當前全球存儲器市場需求急速擴張，其中又以非揮發(fā)性存儲器(Non-Volatile Memory, NVM)的快速成長最引人注目。為了應(yīng)對此產(chǎn)業(yè)變化，全球各大廠與研究機構(gòu)對于下一個世代存儲器技術(shù)開發(fā)均早已如火如荼般地展開。在各種可能的技術(shù)中，電阻式隨機存取存儲器(Resistive Random AccessMemory,RRAM)具有結(jié)構(gòu)簡單、寫入操作電壓低、可高速操作以及非揮發(fā)性等特性，因此電阻式隨機存取存...
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