技術(shù)編號：8513626
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。存儲器用于存儲大量數(shù)字信息，最近據(jù)調(diào)查顯示，在世界范圍內(nèi)，存儲器芯片大約占了半導(dǎo)體交易的30 %，多年來，工藝技術(shù)的進(jìn)步和市場需求催生越來越多高密度的各種類型存儲器，如RAM (隨機(jī)存儲器)、SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存儲器)、DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器)和FRAM(鐵電存儲器)等。其中，閃存存儲器即FLASH，其成為非易失性半導(dǎo)體存儲技術(shù)的主流，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息；在存儲器電可擦除和可重復(fù)編程，而不需要特殊的高電壓；閃存存儲器具有成本低、密度...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。