技術(shù)編號：8490973
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 制造半導(dǎo)體裝置時，進(jìn)行在晶片表面形成導(dǎo)電膜，并通過光刻、蝕刻等形成布線層 的步驟，在布線層上形成層間絕緣膜的步驟等，通過這些步驟在晶片表面上產(chǎn)生由金屬等 導(dǎo)電體或絕緣體構(gòu)成的凹凸。近年來，以半導(dǎo)體集成電路的高密度化為目的，正在進(jìn)行布線 的微細(xì)化或多層布線化，與此同時將晶片表面的凹凸平坦化的技術(shù)變得重要。 作為將晶片表面的凹凸平坦化的方法，一般采用CMP法。CMP是在將晶片的被拋光 面壓在拋光墊的拋光面上的狀態(tài)下，使用磨粒分散的漿料狀的拋光劑（以下稱為漿料...
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