技術(shù)編號(hào)：8458254
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VDMOS)是由多個(gè)單胞并聯(lián)而成的 集成器件，其在高阻外延層上采用平面自對(duì)準(zhǔn)雙擴(kuò)散工藝，利用兩次擴(kuò)散結(jié)深差，在水平方 向形成MOS結(jié)構(gòu)的多子導(dǎo)電溝道，這種結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)較短的溝道，并且由于具有縱向漏極， 因此可以提高漏源之間的擊穿電壓。 對(duì)于溝槽型VDMOS器件來說，柵氧層的擊穿電壓是非常重要的參數(shù)。如果柵氧層 擊穿電壓偏低，將會(huì)導(dǎo)致IGSS (柵源間漏電）失效比例增大，嚴(yán)重時(shí)將會(huì)導(dǎo)致整片報(bào)廢，尤 其是在初始環(huán)區(qū)的...
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