技術(shù)編號：8446738
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。SiC具有獨(dú)特的物理、化學(xué)及電學(xué)特性，是在高溫、高頻、大功率及抗輻射等極端應(yīng)用領(lǐng)域極具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體材料。SiC功率MOSFET的最佳工作狀態(tài)與柵介質(zhì)絕緣層界面特性及體特性緊密相關(guān)。眾所周知SiC材料表面因經(jīng)歷離子注入高溫退火所產(chǎn)生的“st印bunching”會使SiC/Si02W面形貌發(fā)生極大的退變而嚴(yán)重影響MOSFET的反型層迀移率，大多數(shù)情況下小于1cmVV.s的反型層迀移率則是因?yàn)楸砻娲植诙纫鸬模⑶視?dǎo)致功率器件導(dǎo)通電阻增大。為了改善界面粗糙...
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