技術(shù)編號(hào)：8445050
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在平面光柵或者頻率選擇表面的制作工藝中，需通過光刻進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。每次光刻都需一塊具有相應(yīng)幾何圖形的光刻掩膜，即光刻版-Mask。掩膜是光刻工藝的基準(zhǔn)，光柵的尺寸決定了光刻掩膜的尺寸。由于光學(xué)曝光技術(shù)已接近極限，如i線光源(365nm)可用于制作約0.35um的線條；準(zhǔn)分子激光光源(248nm/193nm)可用于制作約0.25um/0.18um尺寸的線條。因此，利用傳統(tǒng)的光學(xué)曝光技術(shù)和光刻掩膜相結(jié)合的方法很難實(shí)現(xiàn)0.1um的精細(xì)圖形制作。目前常采用電子束曝光...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。