技術(shù)編號(hào)：8441433
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 作為清潔環(huán)保的新能源，太陽(yáng)能電池的應(yīng)用越來(lái)越普及。目前，行業(yè)內(nèi)普遍采用低 溫沉積，高溫推進(jìn)的方法來(lái)制作PN結(jié)。采用不同的滲雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體 與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于N型區(qū) 內(nèi)電子很多空穴很少，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在他們的交界處就出現(xiàn)了電子和空 穴的濃度差別。該樣，N區(qū)的電子會(huì)擴(kuò)散到P區(qū)，P區(qū)的空穴會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，一旦擴(kuò)散就形成 了一個(gè)由N指向P的"內(nèi)電場(chǎng)"，從而阻止擴(kuò)散進(jìn)行，達(dá)到平...
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