技術編號：8435963
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 很多類型的半導體器件是利用基于等離子體的蝕刻技術制造的。如果導體被蝕 亥IJ，則可W將相對于地的負電壓施加到導電襯底，W便在襯底導體的表面兩端創(chuàng)建基本上 一致的負電壓，其將帶正電的離子吸引向導體，并且結果，碰撞導體的正離子基本上具有相 同的能量。[000引然而，如果襯底是電介質，則不變化的電壓對在襯底的表面兩端的電壓不起作用。 但是AC電壓（例如，高頻）可W施加到導電板（卡盤），W使得AC區(qū)域在襯底的表面感應 出電壓。在AC周期的正半周期期間，襯底吸引相...
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