技術編號：8432445
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。肖特基二極管(SchottkyBarrierD1de,縮寫成SBD),不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬一半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬一半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。金屬作為正極，半導體端作為負極的二極管，典型的肖特基二極管是以N型半導體為襯底，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層，陽極使用鑰或鋁等材料制成阻檔層，用二氧化硅來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。