技術編號：8432426
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。金屬-氧化物-半導體晶體管(M0S管)是半導體制造中的最基本器件，其廣泛適用于各種集成電路中。請參考圖1，現有技術提供了一種MOS管的制作方法，包括提供半導體襯底100 ；形成覆蓋所述半導體襯底100的柵介質層101 ;形成覆蓋所述柵介質層101的柵電極層102;形成位于所述柵介質層101和柵電極層102側壁的側墻103 ;以所述側墻103為掩膜，形成分別位于所述柵介質層101、柵電極層102兩側的半導體襯底100內的源區(qū)104和漏區(qū)105。隨著半導體制造...
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