技術(shù)編號(hào)：8432061
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種反應(yīng)腔室及等離子體加工設(shè)備。背景技術(shù)由于電感耦合等離子體發(fā)生裝置可以在較低工作氣壓下獲得高密度的等離子體，而且結(jié)構(gòu)簡單，造價(jià)低，因此，其廣泛地用于在等離子體加工設(shè)備產(chǎn)生等離子體。圖1為現(xiàn)有的一種等離子體加工設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，反應(yīng)腔室I的腔體包括側(cè)壁和底壁，其上方設(shè)有由絕緣材料制成的拱形頂蓋2 ;線圈3環(huán)繞于拱形頂蓋2的外側(cè)，其通過第一匹配器5與第一電源4連接；第一電源4用于向線圈3加載射頻...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。