技術編號：8423155
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。如圖1至圖4所示，在半導體設備中，例如物理化學氣象沉積薄膜設備(PVD)或者等離子體刻蝕設備(Etch)，需要將晶片4放置到一個加工出圓形槽的托盤I上，將托盤I傳送到工藝模塊進行所需工藝。托盤I的主要作用是承載晶片4，保證在所需工藝時晶片4溫度的均勻性。托盤I的設計受工藝模塊的尺寸限制，上面圓形槽以及環(huán)形槽3的設計需結合放置晶片4的數(shù)量，通常每一種晶片4尺寸對應一種專用承載托盤I。圖1和圖2分別為一種可以放置I片8寸和5片4寸晶片的托盤結構，圓形晶片4放在...
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