技術(shù)編號(hào)：8414243
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于電荷存儲(chǔ)機(jī)制的Flash存儲(chǔ)器隨器件尺寸的減小很難突破22納米的工藝瓶頸，無法滿足信息技術(shù)的迅速發(fā)展。于是很多新型的非易失性存儲(chǔ)器件應(yīng)運(yùn)而生，其中“阻變存儲(chǔ)器(ReRAM)”的發(fā)展引人注目，它具有結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低、功耗低、讀寫速度快，單個(gè)器件尺寸可以縮小至數(shù)十納米等特點(diǎn)，是最有希望實(shí)現(xiàn)下一代高密度存儲(chǔ)的技術(shù)之一。阻變存儲(chǔ)器的信息讀寫是依靠讀取或者改變阻變材料的電阻來實(shí)現(xiàn)的，電阻轉(zhuǎn)變功能層的電阻值在外加電壓作用下可以具有高阻態(tài)和低阻態(tài)兩種不同的狀態(tài)，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。