技術(shù)編號：8414241
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。阻變單元器件被認(rèn)為是有希望的下一代高速、高密度、低功耗存儲器，受到學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。阻變單元器件的原理是用阻變材料作為存儲介質(zhì)，通過外部施加電脈沖，在阻變材料中發(fā)生氧空位導(dǎo)電通道或金屬導(dǎo)電絲的形成和斷裂，實(shí)現(xiàn)器件在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)變，兩態(tài)之間的電阻差異用來存儲O和I信息。鍺碲材料GeTe作為一種固體電解質(zhì)材料，具有高的離子遷移率，已初步應(yīng)用于制備阻變存儲材料。但GeTe在150?200°C溫度下會發(fā)生從高電阻值的非晶態(tài)到低阻值的晶態(tài)的相變...
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