技術(shù)編號：8414098
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。對于閃存、一類非易失性存儲設備的需求在移動設備和數(shù)字工業(yè)領(lǐng)域迅猛地增長，諸如移動電話、MP3播放器、數(shù)碼相機、通用串行總線(USB)等。目前被商業(yè)化的與NAND閃存設備基于晶體管閾值電壓的變化來運行。在閾值電壓上的變化由浮柵中存儲的電荷引發(fā)。該浮柵由多晶硅形成并可以被充電或放電。然而，浮柵中的非均勻多晶硅的分布增加了設備的閾值電壓的可變性以及高至5到1V的運行電壓需要大量的能量消耗。同樣地，當按比例縮小時，蝕薄的絕緣層導致浮柵的電荷泄漏到通道，由于其會導致...
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