技術(shù)編號：8407987
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于低維材料和新材料領(lǐng)域，特別是涉及一種h-BN上石墨稀納米帶的制備方法。背景技術(shù)石墨烯由于具有優(yōu)異的物理化學(xué)特性成為科學(xué)及產(chǎn)業(yè)界熱門研宄課題，其優(yōu)越的電子傳輸特性及可裁剪加工特性使得其有望成為新一代微納電子器件的重要基礎(chǔ)性材料。而當前石墨烯的性能由于受制于制備方法及手段，因而使其應(yīng)用受限。目前制備石墨烯的常用方法有機械剝離法、化學(xué)氣相沉積法(CVD)，SiC外延生長法及石墨氧化還原法等，CVD方法由于成本低廉，易于大規(guī)模生產(chǎn)，與半導(dǎo)體工藝兼容而成為...
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