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形成存儲(chǔ)器單元和磁性存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)的陣列的方法,以及相關(guān)的存儲(chǔ)器單元和存儲(chǔ)器 ...的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8399383

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磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)為基于磁阻的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)。一種類型的MRAM單元為自旋力矩轉(zhuǎn)移MRAM(STT-MRAM)單元。常規(guī)STT-MRAM單元包括由襯底支撐的磁性單元芯。磁性單元芯包括至少兩個(gè)磁性區(qū)域(例如,“固定區(qū)域”和“自由區(qū)域”),其中一非磁性區(qū)域在兩個(gè)磁性區(qū)域中間。STT-MRAM單元可經(jīng)配置以在固定區(qū)域和自由區(qū)域兩者中展現(xiàn)垂直磁性定向,或可經(jīng)配置以在固定區(qū)域和自由區(qū)域兩者中展現(xiàn)水平磁性定向。固定區(qū)域具有固定磁性定向,而自由區(qū)域...
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